若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

OED/ORD

說明氧化氣氛對擴(kuò)散有何影響及原因？

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

自由電子是載流子，空穴不是。