單項選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是（）。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
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1.單項選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于（）。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
2.單項選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料，要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為（）。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
3.單項選擇題按照[SiO4]4-的連接方式，石英有三種存在狀態(tài)，870℃以下穩(wěn)定存在的是（）
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
4.單項選擇題在鈉—鈣—硅酸鹽玻璃中，下列那項不是SiO2的作用？（）
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機械強度
D、補償坯體收縮作用
5.單項選擇題玻璃中的CaO主要作用是（）。
A、反應(yīng)劑
B、助熔劑
C、穩(wěn)定劑
D、澄清劑
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題