A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
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A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法