單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為()
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
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1.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是()
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
2.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
3.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾
4.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
5.多項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題