A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
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A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A.非本征
B.本征
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
下列是晶體的是（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。