單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射


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1.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

2.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

3.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

4.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。

A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2

5.單項(xiàng)選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,最常用的儲(chǔ)能設(shè)備是()。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

6.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流()漂移電流,耗盡層()。

A.大于,變寬
B.小于,變窄
C.大于,變窄
D.小于,變寬

7.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷原子后形成的半導(dǎo)體稱為()。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體