單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

2.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的（）原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

3.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈（）。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

4.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的（）。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

5.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。

A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

6.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是（）和（）。

A.P，Si
B.P2O5，Si
C.P2O5，O2
D.P，SiO2

7.單項(xiàng)選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，最常用的儲能設(shè)備是（）。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

8.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流（）漂移電流，耗盡層（）。

A.大于，變寬
B.小于，變窄
C.大于，變窄
D.小于，變寬

9.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷原子后形成的半導(dǎo)體稱為（）。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體

最新試題

使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會下降。

題型：判斷題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。

題型：單項(xiàng)選擇題

對理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型：判斷題

將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。

題型：判斷題

碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型：判斷題

全加器的輸入信號是（）

題型：多項(xiàng)選擇題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長度為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后，對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。

題型：判斷題

由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。

題型：單項(xiàng)選擇題