單項選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割


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1.單項選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

3.單項選擇題下面哪一項不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

4.單項選擇題層壓組件時一般需要的時間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

7.單項選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑,可降低溫度

8.單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

10.單項選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

最新試題

平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個輸入端,靜態(tài)時外接電阻相等。

題型:判斷題

異步計數(shù)器的計數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

由兩個觸發(fā)器組成的時序電路,所以其工作狀態(tài)應(yīng)為()種。

題型:單項選擇題

下列受時鐘控制的是()

題型:單項選擇題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

9個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計,可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計數(shù)器。

題型:單項選擇題

現(xiàn)有58個信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型:判斷題

二進(jìn)制計數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動控制等方面

題型:多項選擇題