A.不包含D/A轉(zhuǎn)換器
B.不包含比較器
C.包含D/A轉(zhuǎn)換器
D.不包含參考電源
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A.1/8
B.1/256
C.1/255
D.1/2
A.最小
B.最大
C.居中
D.偏大
A.RC振蕩器
B.石英振蕩器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.施密特觸發(fā)器
A.多諧振蕩器
B.基本RS觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.施密特觸發(fā)器
A.多諧振蕩器
B.基本RS觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.施密特觸發(fā)器
A.10
B.20
C.25
D.50
A.8
B.7
C.6
D.4
A.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
B.多諧振蕩器
C.施密特觸發(fā)器
D.邊沿觸發(fā)器
A.1/3VCC
B.2/3VCC
C.VCC
D.1/2VCC
A.1/3VCC
B.2/3VCC
C.VCC
D.1/2VCC
最新試題
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門(mén)電路為()
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()