A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
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A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
A.電源
B.負(fù)載
C.驅(qū)動(dòng)電路
D.下拉電阻
A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
A.輸入級(jí)
B.放大級(jí)
C.中間級(jí)
D.輸出級(jí)
A.與非邏輯功能
B.與邏輯功能
C.提高電路的開關(guān)速度
D.降低電路的開關(guān)速度
A.設(shè)計(jì)合理的外電路(抗飽和電路)
B.加大UBE
C.選擇開關(guān)時(shí)間較小的管子
D.減小UBE
A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017
A.集電極開路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出
A.與門
B.與非門
C.非門
D.或門
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
最新試題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。
電可擦除的PROM器件是()
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。