判斷題在標(biāo)準(zhǔn)單元版圖自動(dòng)布線時(shí)，一般第1、3、5等層金屬走線方向總體相同，相鄰兩層金屬的走線方向總體要求是相互垂直。
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無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫(xiě)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱。
題型：判斷題
在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見(jiàn)的隔離方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題