單項(xiàng)選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
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1.單項(xiàng)選擇題為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
2.單項(xiàng)選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
3.單項(xiàng)選擇題在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應(yīng)
B.鳥(niǎo)嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)
4.單項(xiàng)選擇題光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱(chēng)為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進(jìn)式
5.單項(xiàng)選擇題源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴(kuò)散
最新試題
摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題