判斷題無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

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2.多項選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。

A.實現(xiàn)N阱和P阱獨立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應

3.多項選擇題CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅

4.多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術，常見的隔離方法有（）。

A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離

5.單項選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進行局部互連的材料是（）。

A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金