單項(xiàng)選擇題版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接?()
A.N-well
B.n-select
C.p-select
D.metal
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1.單項(xiàng)選擇題版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行?()
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
2.單項(xiàng)選擇題如果想在電路圖模式下編輯符號(hào),可以選擇以下哪個(gè)命令?()
A.Descend Edit
B.Descent Read
C.Edit in Place
D.Show Scope
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電路的層次,自下向上順序正確的是()。
A.晶體管級(jí)別-門級(jí)-門級(jí)以上
B.門級(jí)-門級(jí)以上-晶體管級(jí)別
C.晶體管級(jí)別-門級(jí)以上-門級(jí)
D.門級(jí)-晶體管級(jí)別-門級(jí)以上
4.單項(xiàng)選擇題展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題用四端器件繪制電路圖時(shí),NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
A.接到源端
B.接到漏端
C.NMOS管襯底接地,PMOS管襯底接電源
D.NMOS管襯底接電源,PMOS管襯底接地
最新試題
CMOS工藝中,將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電源線和地線一般用什么圖層來(lái)畫?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型:判斷題
源漏注入之后,必須進(jìn)行()工藝,修復(fù)晶格損傷,激活雜質(zhì)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
顯影后,被曝光區(qū)域的光刻膠被去除,該種光刻膠稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓,MOS電容都是一種線性電容。
題型:判斷題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻時(shí),必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn),可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型:判斷題