為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。