在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。