問答題給出E/R反相器的電路結(jié)構(gòu)，分析其工作原理及傳輸特性，并計算VTC曲線上的臨界電壓值。
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列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。
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試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。
題型：問答題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：單項選擇題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
題型：單項選擇題
淀積擴散主要受哪些因素的控制？
題型：問答題
什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：問答題
二極管只能通過直流電，不能通過交流電。
題型：判斷題
根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴散系數(shù)公式。
題型：問答題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
薄層電阻
題型：名詞解釋