純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

自由電子是載流子，空穴不是。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。