問答題什么是 device breakdown voltage?
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在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題
試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型:問答題
試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。
題型:問答題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。
題型:判斷題
二極管只能通過直流電,不能通過交流電。
題型:判斷題
薄層電阻
題型:名詞解釋
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
題型:單項選擇題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴散特性。
題型:問答題
發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)
題型:名詞解釋
什么是擴散的相互作用?試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型:問答題