硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

等離子體

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

激活劑

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

猝滅劑

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。