陰極射線致發(fā)光

提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

本征吸收

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

非本征光電導(dǎo)

光生伏特效應(yīng)

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）