非本征光電導(dǎo)

內(nèi)光電效應(yīng)

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

光生伏特效應(yīng)

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。