光生伏特效應(yīng)

磁滯回線

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級