MBE只能用于III-V族化合物的生長。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

本征吸收

非本征光電導(dǎo)

內(nèi)光電效應(yīng)

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

陰極射線致發(fā)光

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。