問(wèn)答題IIH/IIL集體測(cè)試法優(yōu)缺點(diǎn)。
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最新試題
MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征光電導(dǎo)
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敏化劑
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硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
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陰極射線致發(fā)光
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平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
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等離子體
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通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋