MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光生伏特效應(yīng)

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)