光電導(dǎo)效應(yīng)

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。

激活劑

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

磁滯回線(xiàn)