當(dāng)原子中的電子處于低能級時(shí)，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
原子在沒有外界干預(yù)的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)元素構(gòu)成。
當(dāng)T升高或光線照射時(shí)，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
最新試題
內(nèi)光電效應(yīng)
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
猝滅劑
本征吸收
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
光電導(dǎo)效應(yīng)
激活劑
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。