激光器最重要的部分是工作物質(zhì)，包括激活離子和基質(zhì)。
閃光燈或另一種激光器以及氣體放電激勵(lì)、化學(xué)激勵(lì)、核能激勵(lì)。
當(dāng)原子中的電子處于低能級時(shí)，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
原子在沒有外界干預(yù)的情況下，電子會(huì)由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動(dòng)躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
最新試題
非本征光電導(dǎo)
光生伏特效應(yīng)
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
猝滅劑
敏化劑
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。