光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。