IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）