刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。