摻雜后，退火的目的是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。