單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
2.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
3.多項(xiàng)選擇題新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無磨粒CMP技術(shù)
C.無應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)
4.多項(xiàng)選擇題光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動(dòng)
D.套準(zhǔn)誤差
5.多項(xiàng)選擇題光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)
最新試題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題