最新試題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題