比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？