集成電路電阻可以通過（）產生。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

什么是MOS器件的體效應？

版圖設計的基本前提是什么？

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？