在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。