半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？