版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。