BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？