由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。