把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？