問答題在大規(guī)模集成電路中,閂鎖效應(yīng)來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應(yīng)的方法。
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什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題