問(wèn)答題以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟？
3.問(wèn)答題在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響？
4.問(wèn)答題四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用？
5.名詞解釋摩爾定律
最新試題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型：判斷題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}
結(jié)電容是常量。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題