單項(xiàng)選擇題實(shí)際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時(shí)外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴(kuò)散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
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3.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
5.多項(xiàng)選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
最新試題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題