多項(xiàng)選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。

A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,電路速度可增加α倍


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2.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括()。

A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接

3.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有()。

A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度

5.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。

A.190度
B.157度
C.180度
D.175度