判斷題涂膠前的打底膜是為了增強(qiáng)光刻膠與襯底之間的浸潤性。
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2.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
4.多項選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
5.單項選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）
A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝的特點包括（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題