A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
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A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
最新試題
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。
下列關(guān)于符合曲線(xiàn)描述錯(cuò)誤的是（）。
下列哪種中子的波長(zhǎng)最短？（）
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法？（）
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
吸收和散射對(duì)探測(cè)器活度測(cè)量也有影響，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是（）。
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是（）。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)？（）
下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。