單項選擇題關(guān)于鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)形成，下列說法錯誤的是（）。
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導體
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1.單項選擇題PN結(jié)半導體探測器通常采用哪種前置放大器？（）
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
2.單項選擇題關(guān)于PN結(jié)半導體探測器，下列說法正確的是（）。
A.結(jié)區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
3.單項選擇題關(guān)于半導體作為探測器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯誤的是（）。
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率
4.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關(guān)鍵？（）
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
5.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導體是屬于間隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
最新試題
下列對中子與原子核的反應截面的描述不正確的是（）。
題型：單項選擇題
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
題型：單項選擇題
常見的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。
題型：單項選擇題
下列關(guān)于反應堆中子源的描述錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
改變下列哪項不會對活度探測產(chǎn)生明顯影響？（）
題型：單項選擇題
關(guān)于加速器中子源，描述錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是（）。
題型：單項選擇題
軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
中子與物質(zhì)的相互作用不包括以下哪一種？（）
題型：單項選擇題
測量厚樣品α源，下列說法正確的是（）。
題型：單項選擇題